г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUBW25-12A7 IXYS

Артикул
MUBW25-12A7
Бренд
IXYS
Описание
IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2, IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 50 A 225 W Chassis Mount E2
Цена
15 825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
1200 V
900 µA
225 W
REACH Unaffected
Three Phase Bridge Rectifier
Three Phase Inverter with Brake
Warning Information
NPT
2.7V @ 15V, 25A
Yes
50 A
E2
MUBW2512A7,MUBW25-12A7-NDR
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C (TJ)
Chassis Mount
E2
EAR99
8541.29.0095
6
MUBW25
ROHS3 Compliant
1.65 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: MMSZ5229BS
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD-323, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IXTQ100N25P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P, N-Channel 250 V 100A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: BAV170T-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 85 V 125mA (DC) Surface Mount SOT-523
Подробнее
Артикул: IPD60R360P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: STP11NM60FD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB, N-Channel 600 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее