г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN2212T1G onsemi

Артикул
MUN2212T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Цена
29 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/MUN2212T1G.jpg
MUN2212T1GOSDKR,MUN2212T1GOSTR,MUN2212T1GOS,MUN2212T1GOS-ND,ONSONSMUN2212T1G,MUN2212T1GOSCT,2156-MUN2212T1G-OS
SC-59
NPN - Pre-Biased
100 mA
50 V
250mV @ 300µA, 10mA
500nA
60 @ 5mA, 10V
338 mW
22 kOhms
MUN2212
3,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.21.0095
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXFX240N15T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247-3, N-Channel 150 V 240A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: SPW55N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3, N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRGS14C40L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A 125W D2PAK, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: STPS20L25CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 25 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1173-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 5/16 RD X 1 3/8 X .192 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) -
Подробнее
Артикул: 7163-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN STEEL3/16HD X 3/, #8-32 Knob Thumb Screw - Drive Steel
Подробнее