г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN5136T1 onsemi

Артикул
MUN5136T1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/MUN5136T1.jpg
SC-70-3 (SOT323)
PNP - Pre-Biased
100 mA
50 V
250mV @ 300µA, 10mA
500nA
80 @ 5mA, 10V
202 mW
REACH Unaffected
100 kOhms
2156-MUN5136T1-ONTR,MUN5136T1OS,ONSONSMUN5136T1
1 (Unlimited)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
SC-70, SOT-323
EAR99
8541.21.0095
3,000
MUN51
RoHS non-compliant
100 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NPT2010
Бренд: MACOM
Описание: HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ, RF Mosfet HEMT 48 V 600 mA 0Hz ~ 2.2GHz 15dB 95W -
Подробнее
Артикул: RB160L-40TE25
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount PMDS
Подробнее
Артикул: FDA50N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 48A TO3PN, N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: ATF-53189-BLK
Бренд: Broadcom Limited
Описание: IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89, RF Mosfet E-pHEMT 4 V 135 mA 900MHz 17.2dB 21.7dBm SOT-89-3
Подробнее
Артикул: AUIRGP4066D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 454W TO-247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1SNA234002R2000
Бренд: TE Connectivity
Описание: 023400220 RC810 MARKER HORZ 1-10,
Подробнее