г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN5213DW1T1G onsemi

Артикул
MUN5213DW1T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
files/MUN5213DW1T1G.jpg
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
100mA
50V
250mV @ 300µA, 10mA
500nA
80 @ 5mA, 10V
250mW
-
REACH Unaffected
47kOhms
SC-88/SC70-6/SOT-363
MUN5213DW1T1GOS,MUN5213DW1T1GOSCT,MUN5213DW1T1GOSTR,2156-MUN5213DW1T1G-OS,MUN5213DW1T1GOS-ND,ONSONSMUN5213DW1T1G,MUN5213DW1T1GOSDKR
1 (Unlimited)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
EAR99
8541.21.0095
3,000
MUN5213
ROHS3 Compliant
47kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SCT30N120
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247, N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON, N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: HFA08TA60C
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 4A (DC) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1264-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: 1404-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: ZXMHC3F381N8TC
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 3.98A, 3.36A 870mW Surface Mount 8-SO
Подробнее