г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUR2560 GeneSiC Semiconductor

Артикул
MUR2560
Бренд
GeneSiC Semiconductor
Описание
DIODE GEN PURP 600V 25A DO4, Diode Standard 600 V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Цена
1 755 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
-
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
600 V
25A
1.7 V @ 25 A
90 ns
10 µA @ 50 V
-
250
MUR2560GN
8541.10.0080
Bulk
Active
Chassis, Stud Mount
DO-203AA, DO-4, Stud
DO-4
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTE2317
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 450V 15A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 450 V 15 A - 105 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: GBPC3501
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT WITH RECOVERY DIODE, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: WLP-CSP
Бренд: ABB Power Electronics
Описание: WLP-CSP,
Подробнее
Артикул: SBR0560S1Q-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 500MA SOD123, Diode Super Barrier 60 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: MJ11016
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 30 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A - 200 W Through Hole TO-3
Подробнее