г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUR4100ERLG onsemi

Артикул
MUR4100ERLG
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201AD, Diode Standard 1000 V 4A Through Hole Axial
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/MUR4100ERLG.jpg
Axial
REACH Unaffected
25 µA @ 1000 V
1.85 V @ 4 A
Standard
1000 V
Fast Recovery = 200mA (Io)
100 ns
-65°C ~ 175°C
4A
MUR4100ERLGOS,2156-MUR4100ERLG-OS,ONSONSMUR4100ERLG,MUR4100ERLGOSCT,MUR4100ERLGOS-ND,MUR4100ERLGOSTR
Not Applicable
SWITCHMODE™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
Through Hole
DO-201AA, DO-27, Axial
EAR99
8541.10.0080
1,500
MUR4100
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DSEI2X31-10B
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 1KV 30A SOT227B, Diode Array 2 Independent Standard 1000 V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: VS-160MT80KPBF
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3P 800V 160A MT-K, Bridge Rectifier Three Phase Standard 800 V Chassis Mount MT-K
Подробнее
Артикул: AONY36352
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Подробнее
Артикул: VS-12CWQ10FNTRLPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: DTC143ESATP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
Подробнее