г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MW6S010NR1 NXP Semiconductors

Артикул
MW6S010NR1
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 68V 960MHZ TO270-2, RF Mosfet LDMOS 28 V 125 mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
Цена
5 711 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/MW6S010NR1.jpg
125 mA
-
28 V
18dB
960MHz
LDMOS
68 V
TO-270AA
TO-270-2
500
EAR99
MW6S010
-
Not For New Designs
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
10W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MPSA44
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92 400V 300MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA - 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1547-A-2-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN ALUMINUM3/, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: International Rectifier
Описание: 30A, 600V IMOTION POWER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: VS-16TTS12-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.2KV 16A TO220AB, SCR 1.2 kV 16 A Standard Recovery Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DTA124ESATP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
Подробнее