г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MWI100-12A8 IXYS

Артикул
MWI100-12A8
Бренд
IXYS
Описание
IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 160 A 640 W Chassis Mount E3
Цена
36 434 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
1200 V
6.3 mA
640 W
REACH Unaffected
Standard
Three Phase Inverter
Warning Information
NPT
2.6V @ 15V, 100A
No
160 A
E3
1 (Unlimited)
Box
Active
-40°C ~ 125°C (TJ)
Chassis Mount
E3
EAR99
8541.29.0095
5
MWI100
ROHS3 Compliant
6.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBT2222
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 30V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: CA3059
Бренд: Renesas
Описание: ZERO VOLTAGE CROSSING SWITCH,
Подробнее
Артикул: 0374-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/4HD X, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1N5245B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 15 V 1W DO-35, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: CGHV1F025S
Бренд: Wolfspeed
Описание: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, RF Mosfet HEMT 40 V 150 mA 0Hz ~ 15GHz 11.6dBm 29W 12-DFN (4x3)
Подробнее
Артикул: FQP13N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3, N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее