г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MWI50-12T7T IXYS

Артикул
MWI50-12T7T
Бренд
IXYS
Описание
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2, IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200 V 80 A 270 W Chassis Mount E2
Цена
20 877 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
1200 V
4 mA
270 W
REACH Unaffected
Standard
Three Phase Inverter
Warning Information
Trench
2.15V @ 15V, 50A
Yes
80 A
E2
1 (Unlimited)
Box
Active
-40°C ~ 125°C (TJ)
Chassis Mount
E2
EAR99
8541.29.0095
6
MWI50
ROHS3 Compliant
3.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1214-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: IGN1011L70
Бренд: Integra Technologies
Описание: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Подробнее
Артикул: HGTD1N120BNS9A
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA, IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: STGIPS10K60A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOD IPM 600V 10A 25-SDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Подробнее
Артикул: MJD122G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: BZV55-C7V5,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW LLDS,
Подробнее