г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NDB6020P onsemi

Артикул
NDB6020P
Бренд
onsemi
Описание
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN, P-Channel 20 V 24A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NDB6020P.jpg
P-Channel
20 V
24A (Tc)
4.5V
50mOhm @ 12A, 4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±8V
1590 pF @ 10 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
D?PAK (TO-263)
-
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156B6020P-488
1
-65°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NJL3281D
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 260V 15A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MBRB1060
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK, Diode Schottky 60 V Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: STN1NK80Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223, N-Channel 800 V 250mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: GBJ1006-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: STGW30H60DFB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 60A 260W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 260 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: ZVN0545A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3, N-Channel 450 V 90mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее