г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NDS351N onsemi

Артикул
NDS351N
Бренд
onsemi
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Цена
33 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NDS351N.jpg
N-Channel
30 V
1.1A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm @ 1.4A, 10V
2V @ 250µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 10 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
SuperSOT-3
-
Bulk
Active
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
2156S351N-488
1
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
500mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STTH1L06A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: IRF7488TRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6, N-Channel 80 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FGA15N120ANTDTU-F109
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 30 A 186 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: BZX55C10
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 10V 500MW DO35, Zener Diode 10 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: IRFD9014PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP, P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 78A SUPER247, IGBT - 1200 V 78 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее