г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NE3510M04-A CEL

Артикул
NE3510M04-A
Бренд
CEL
Описание
FET RF 4V 4GHZ M04, RF Mosfet HFET 2 V 15 mA 4GHz 16dB 11dBm M04
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/NE3510M04-A.jpg
SOT-343F
REACH Unaffected
4GHz
M04
HFET
16dB
2 V
0.45dB
15 mA
4 V
97mA
-
Bulk
Obsolete
NE3510
1 (Unlimited)
EAR99
8541.21.0075
NE3510M04A
1
11dBm

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX584C3V3
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD-523, Zener Diode 3.3 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: KSC2073TU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 25 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2SD2014
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 75MHz 25 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: 1207-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: EMB10T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Подробнее
Артикул: 1N4730A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 3.9V 1W 5%, Zener Diode 3.9 V 1 W ±0.5% Through Hole DO-41G
Подробнее