NE3515S02-T1C-A CEL

Артикул

NE3515S02-T1C-A

Бренд

CEL

Описание

FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF

files/NE3515S02-T1C-A.jpg

4-SMD, Flat Leads

REACH Unaffected

12GHz

S02

HFET

12.5dB

2 V

0.3dB

10 mA

4 V

88mA

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

Obsolete

NE3515

1 (Unlimited)

EAR99

8541.21.0075

NE3515S02-T1C-ADKR,NE3515S02-T1C-A-ND,NE3515S02-T1C-ATR,NE3515S02T1CA,NE3515S02-T1C-ACT

2,000

14dBm

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS40LT1G

Бренд: onsemi

Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Подробнее

Артикул: TO-101-130

Бренд: Bivar

Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.130", Component Spacer General Purpose Rectangular 0.130" (3.30mm) Natural

Подробнее

Артикул: 2N3019

Бренд: Solid State

Описание: NPN SIL TRANS TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39

Подробнее

Артикул: UPP1004E3/TR7

Бренд: Microchip Technology

Описание: RF DIODE PIN 100V 2.5W DO216, RF Diode PIN - Single 100V 2.5 W DO-216

Подробнее

Артикул: VT6Z2T2R

Бренд: Rohm Semiconductor

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6

Подробнее

Артикул: STGP15M65DF2

Бренд: STMicroelectronics

Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE, IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 136 W Through Hole TO-220

Подробнее

NE3515S02-T1C-A CEL

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята