г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NE4210S01 CEL

Артикул
NE4210S01
Бренд
CEL
Описание
HJ-FET 13DB S01, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
-
10 mA
0.5dB
2 V
13dB
HFET
SMD
12GHz
REACH Unaffected
4-SMD
4 V
15mA
1
8541.21.0095
EAR99
1 (Unlimited)
Obsolete
Strip
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1496-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: BC547CBK
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92BK 45V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MS1202
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135, RF Transistor NPN 35V 1A 118MHz ~ 136MHz 15W Chassis Mount M135
Подробнее
Артикул: FDMC2674
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 220 V 1A (Ta), 7A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: VS-30EPH06-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее