г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NE4210S01-T1B Renesas

Артикул
NE4210S01-T1B
Бренд
Renesas
Описание
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Цена
217 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
-
HFET
10 mA
-
SMD
4-SMD
0.5dB
13dB
12GHz
4 V
RENRNSNE4210S01-T1B,2156-NE4210S01-T1B-RETR
4,000
8541.21.0075
EAR99
Not applicable
15mA
Obsolete
Bulk
2 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SD2083
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 120V 25A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 25 A 20MHz 120 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 1515-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: GP02-40-E3/53
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204, Diode Standard 4000 V 250mA Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 1369-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: HSMS-2815-BLKG
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 20V 1 A SOT-143-4
Подробнее
Артикул: UM7108F
Бренд: Microchip Technology
Описание: SI PPIN HERMETIC MELF, RF Diode PIN - Single 800V 100000 W -
Подробнее