г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NE85633-T1B CEL

Артикул
NE85633-T1B
Бренд
CEL
Описание
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
files/NE85633-T1B.jpg
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
REACH Affected
200mW
SOT-23-3
NPN
9dB
100mA
12V
50 @ 20mA, 10V
7GHz
150°C (TJ)
Surface Mount
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Obsolete
NE85633
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.21.0075
NE85633,2SC3356,NE85633-TR,NE85633L,NE85633T1B,NE85633TR,NE85633CT,NE85633-T1BTR,NE85633-ND
3,000
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AFT05MS031GNR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 10 mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL
Подробнее
Артикул: STW3N150
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3, N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: PS21254-EP
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 15A DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 41-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), 26 Leads
Подробнее
Артикул: IRF3704ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB, N-Channel 20 V 67A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: GBPC3508W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: 1300-50-PH
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - PHENOLIC, Round Spacer Unthreaded - Phenolic 1.563" (39.69mm) -
Подробнее