г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGB8206NG onsemi

Артикул
NGB8206NG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 390V 20A 150W D2PAK, IGBT - 390 V 20 A 150 W Surface Mount D?PAK
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGB8206NG.jpg
D?PAK
20 A
390 V
150 W
Logic
-
1.9V @ 4.5V, 20A
-
-/5µs
300V, 9A, 1kOhm, 5V
ONSONSNGB8206NG,2156-NGB8206NG-ON
NGB820
50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50 A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MUR7020
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 200V 70A DO5, Diode Standard 200 V 70A Chassis, Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: FCH104N60F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: AO3409
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L, P-Channel 30 V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: US1MHE3_A/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: STPSC606D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A Through Hole TO-220AC
Подробнее