г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB25N120FL3WG onsemi

Артикул
NGTB25N120FL3WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 100A TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 349 W Through Hole TO-247-3
Цена
1 044 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGTB25N120FL3WG.jpg
TO-247-3
100 A
1200 V
349 W
Standard
114 ns
Trench Field Stop
2.4V @ 15V, 25A
1mJ (on), 700µJ (off)
15ns/109ns
600V, 25A, 10Ohm, 15V
100 A
NGTB25N120FL3WGOS
NGTB25
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
136 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFS250B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 200 V 21.3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PF
Подробнее
Артикул: 1427-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: MJD31CT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A - 15 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: BAS70-06-G3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 70 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 863MHZ NI-860C3, RF Mosfet LDMOS 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Подробнее
Артикул: HUF75333P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3, N-Channel 55 V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее