г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB40N120FL3WG onsemi

Артикул
NGTB40N120FL3WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 160A TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 160 A 454 W Through Hole TO-247-3
Цена
1 221 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGTB40N120FL3WG.jpg
Standard
160 A
1200 V
454 W
REACH Unaffected
136 ns
Trench Field Stop
2.3V @ 15V, 40A
160 A
1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
212 nC
18ns/145ns
TO-247-3
NGTB40N120FL3WGOS
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
30
NGTB40
ROHS3 Compliant
Not Applicable
600V, 40A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SF-C13
Бренд: Panasonic
Описание: CONTROL SAFETY GEN PURPOSE 24V, Machine Safety Controller General Purpose 24VDC Supply DIN Rail
Подробнее
Артикул: NJL1302D
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 260V 15A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: IPG20N06S4L26AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: MMBT5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- SWITCHING, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IXFH13N80Q
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD, N-Channel 800 V 13A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: IRF7389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее