г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB50N120FL2WAG onsemi

Артикул
NGTB50N120FL2WAG
Бренд
onsemi
Описание
NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD, IGBT
Цена
537 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGTB50N120FL2WAG.jpg
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Affected
2156-NGTB50N120FL2WAG-488
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SLA5059
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP, Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 4A 5W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: IRF6729MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET, N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: FEP16BT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100 V 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SCT50N120
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247, N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Подробнее
Артикул: AUIRF3205Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRF3205Z - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BYM10-100-E3/96
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Diode Standard 100 V 1A Surface Mount DO-213AB
Подробнее