г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTG15N60S1EG onsemi

Артикул
NGTG15N60S1EG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 600V 30A TO220, IGBT NPT 600 V 30 A 117 W Through Hole TO-220AB
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGTG15N60S1EG.jpg
TO-220AB
30 A
600 V
117 W
Standard
NPT
1.7V @ 15V, 15A
550µJ (on), 350µJ (off)
65ns/170ns
400V, 15A, 22Ohm, 15V
120 A
ONSONSNGTG15N60S1EG,NGTG15N60S1EG-ND,NGTG15N60S1EGOS,2156-NGTG15N60S1EG-OS
NGTG15
50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
88 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI7456DP-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: S4J R6
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY DO214AB, Diode Standard 600 V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: NE3511S02-A
Бренд: CEL
Описание: HJ-FET NCH 13.5DB S02, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB - S02
Подробнее
Артикул: 10SCM005004
Бренд: Essentra Components
Описание: SHOULDER WASHER 5.1MM ID 10.2MM, - Shoulder Washer 0.079" (2.00mm) Thick Nylon
Подробнее
Артикул: ML-50-2-6
Бренд: Kilo International
Описание: KNOB SMOOTH 0.125" METAL, Smooth Knob 0.125" (3.18mm) Shaft with Dot on Top Metal Black Gloss
Подробнее