г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NSBC114TDXV6T1 onsemi

Артикул
NSBC114TDXV6T1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
files/NSBC114TDXV6T1.jpg
NSBC11
4,000
8541.21.0095
EAR99
REACH Unaffected
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
Obsolete
Cut Tape (CT)
*
ONSONSNSBC114TDXV6T1,2156-NSBC114TDXV6T1-ONTR,NSBC114TDXV6TOSCT,NSBC114TDXV6TOSTR

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFS11N50APBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK, N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 0423-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/8 HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1N5251B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: MM3Z5V1T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323, Zener Diode 5.1 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IRFP9240
Бренд: Harris
Описание: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3, P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее