г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE102A NTE Electronics

Артикул
NTE102A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Цена
1 521 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE102A.jpg
TO-1-3 Metal Can
TO-1
650 mW
1 A
PNP
170mV @ 50mA, 500mA
25µA (ICBO)
69 @ 300mA, 0V
1
2368-NTE102A
-
Bag
Active
Through Hole
90°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTMFS5844NLT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN, N-Channel 60 V 11.2A (Ta) 3.7W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: TO-68-090
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.090", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.090" (2.29mm) Natural
Подробнее
Артикул: IRFS4229TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK, N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: 2SC3506
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS NPN 800V 3A TOP-3F, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 4MHz 3 W Through Hole TOP-3F-A1
Подробнее
Артикул: IRLML6401TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, P-Channel 12 V 4.3A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: AZ23C3V3-E3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.3 V 300 mW ±5% SOT-23-3
Подробнее