г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE103A NTE Electronics

Артикул
NTE103A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor NPN 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Цена
1 318 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE103A.jpg
TO-1-3 Metal Can
TO-1
650 mW
1 A
NPN
170mV @ 50mA, 500mA
25µA (ICBO)
69 @ 300mA, 0V
1
2368-NTE103A
-
Bag
Active
Through Hole
90°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SD103ASDM-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT26, Diode Array 2 Pair Series Connection Schottky 40 V 350mA (DC) Surface Mount SOT-23-6
Подробнее
Артикул: 1N992B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 200V 500MW DO7, Zener Diode 200 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: MBRB4030
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK, Diode Schottky 30 V 40A Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: MRF422
Бренд: MACOM
Описание: RF TRANS NPN 35V 211-11, RF Transistor NPN 35V 20A - 150W Chassis Mount 211-11, Style 2
Подробнее
Артикул: MUN5231T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: TP65H035WS
Бренд: Transphorm
Описание: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее