г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE128 NTE Electronics

Артикул
NTE128
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 800 mW Through Hole TO-39
Цена
417 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE128.jpg
TO-39
800 mW
80 V
1 A
NPN
500mV @ 50mA, 500mA
10nA (ICBO)
100 @ 150mA, 10V
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
1
2368-NTE128
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
400MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP9140
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3, P-Channel 100 V 21A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: GL41Y-E3/96
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB, Diode Standard 1600 V 1A Surface Mount DO-213AB
Подробнее
Артикул: 1SNA165113R1600
Бренд: TE Connectivity
Описание: M4/6.P,
Подробнее
Артикул: 2N6667
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: ZC2811ETA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 20MA SOT23-3, Diode Schottky 15 V 20mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее