г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE159 NTE Electronics

Артикул
NTE159
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 800MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 800 mA - 625 mW Through Hole TO-92
Цена
300 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE159.jpg
TO-92
625 mW
80 V
800 mA
PNP
500mV @ 50mA, 500mA
50nA (ICBO)
50 @ 10mA, 10V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-NTE159
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N5881
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 160 W
Подробнее
Артикул: SD2918
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113, RF Mosfet N-Channel 50 V 100 mA 30MHz 22dB 30W M113
Подробнее
Артикул: IXGF20N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK, IGBT - 3000 V 22 A 100 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: IRF9317PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO, P-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: MRF141G
Бренд: MACOM
Описание: FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04, RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 28 V 500 mA 175MHz 14dB 300W 375-04, Style 2
Подробнее
Артикул: FDS3672
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC, N-Channel 100 V 7.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее