г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE159M NTE Electronics

Артикул
NTE159M
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 60V 600MA TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1.8 W Through Hole TO-18
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE159M.jpg
TO-18
1.8 W
60 V
600 mA
PNP
1.6V @ 50mA, 500mA
50nA
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-NTE159M
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1239-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: SLA4052
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 9 NPN Darlington 120V 3A - - Through Hole 21-SIP w/fin
Подробнее
Артикул: 2N2903
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 30V 50mA 60MHz 1.2W Through Hole TO-78-6
Подробнее
Артикул: NDBA180N10BT4H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: MCR16N
Бренд: onsemi
Описание: THYRISTOR SCR 16A 800V TO220AB, SCR 800 V 16 A Standard Recovery Through Hole TO-220
Подробнее