г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE159M NTE Electronics

Артикул
NTE159M
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 60V 600MA TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1.8 W Through Hole TO-18
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE159M.jpg
TO-18
1.8 W
60 V
600 mA
PNP
1.6V @ 50mA, 500mA
50nA
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-NTE159M
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STF22NM60ND
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP, N-Channel 600 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: 1N3879
Бренд: Solid State
Описание: DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE, RF Diode Standard - Single 50V 6 A DO-4
Подробнее
Артикул: SCT3060ALGC11
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Подробнее
Артикул: PFM0002
Бренд: Panduit
Описание: FLOOR ID PLATE, 12X7.5, 25/PK, ID Plate Silver 12.00" L x 7.50" W (304.8mm x 190.5mm)
Подробнее
Артикул: BC856ALT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 65V 100MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGBC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее