г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE159M NTE Electronics

Артикул
NTE159M
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 60V 600MA TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1.8 W Through Hole TO-18
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE159M.jpg
TO-18
1.8 W
60 V
600 mA
PNP
1.6V @ 50mA, 500mA
50nA
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-NTE159M
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPD60R385CPATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SI7414DN-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8, N-Channel 60 V 5.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: CSD87381PT
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A 4W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
Подробнее
Артикул: PM50RL1A120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 7-PAC L1 50A 1200V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 50 A Power Module
Подробнее
Артикул: IRFH7084TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN, N-Channel 40 V 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: 0772-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/8HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее