г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE180 NTE Electronics

Артикул
NTE180
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 100V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Цена
1 304 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE180.jpg
TO-3
200 W
100 V
30 A
PNP
800mV @ 750mA, 7.5A
1mA (ICBO)
25 @ 7.5A, 2V
TO-204AA, TO-3
1
2368-NTE180
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
2MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N7000-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BUK9K17-60EX
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 26A 53W Surface Mount LFPAK56D
Подробнее
Артикул: 1N5404
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400 PRV 3A, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: FN-834
Бренд: GC Electronics
Описание: 4-40 X 3/4 NYL FILLESTER SC,
Подробнее
Артикул: 2SC2258
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS NPN 250V 0.1A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 100 mA 100MHz 4 W Through Hole TO-126B-A1
Подробнее
Артикул: VS-MBRB1635PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 16A D2PAK, Diode Schottky 35 V 16A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее