г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE199 NTE Electronics

Артикул
NTE199
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 50V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA - 360 mW Through Hole TO-92
Цена
202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE199.jpg
TO-92
360 mW
50 V
100 mA
NPN
125mV @ 1mA, 10mA
30nA
400 @ 2mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-NTE199
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 125°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS16LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BUZ31L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BZX79-C13,143
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 13V 400MW ALF2, Zener Diode 13 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: SBR80520LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123, Diode Schottky 20 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: MMUN2113LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF6775MTR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET, N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее