г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE218 NTE Electronics

Артикул
NTE218
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 3MHz 25 W Through Hole TO-3
Цена
940 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE218.jpg
TO-3
25 W
80 V
4 A
PNP
600mV @ 125mA, 1A
1mA
40 @ 100mA, 1V
TO-204AA, TO-3
1
2368-NTE218
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: APT15GP60BG
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 56A 250W TO247, IGBT PT 600 V 56 A 250 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: DL4734A-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE ZENER 5.6V 1W MELF, Zener Diode 5.6 V 1 W ±5% Surface Mount MELF
Подробнее
Артикул: IHW40N135R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1350 V 80 A 394 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: DMN65D8LDW-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: DMN62D0LFB-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN, N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Подробнее
Артикул: 1N4731A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 1W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее