г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2305 NTE Electronics

Артикул
NTE2305
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 160V 16A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Цена
853 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE2305.jpg
TO-3PN
125 W
160 V
16 A
NPN
3.5V @ 2A, 16A
750µA
15 @ 8A, 2V
TO-3P-3, SC-65-3
1
2368-NTE2305
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2369A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 200 mA 675MHz 360 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: UPA895TS-T3-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI, RF Transistor 2 NPN (Dual) 5.5V 100mA 6.5GHz 130mW Surface Mount 6-Super Lead-Less MiniMold
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060A
Бренд: onsemi
Описание: MOD IPM INVERTER 3PHASE, Power Driver Module
Подробнее
Артикул: 1142-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: APTGT300DH60G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6, IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600 V 430 A 1150 W Chassis Mount SP6
Подробнее
Артикул: MBRM120ET3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE, Diode Schottky 20 V 1A Surface Mount Powermite
Подробнее