г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2365 NTE Electronics

Артикул
NTE2365
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 800V 15A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 15 A - 180 W Through Hole TO-3PBL
Цена
3 843 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE2365.jpg
TO-3PBL
180 W
800 V
15 A
NPN
5V @ 2.5A, 10A
1mA
8 @ 1A, 5V
TO-3P-3 Full Pack
1
2368-NTE2365
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: US-735
Бренд: Brainboxes
Описание: USB-C 1 PORT USB RS232,
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRLR3705ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BLF7G24LS-100,118
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W SOT502B
Подробнее
Артикул: MJL3281A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 260V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: FDMS0312S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее