г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2365 NTE Electronics

Артикул
NTE2365
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 800V 15A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 15 A - 180 W Through Hole TO-3PBL
Цена
3 843 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/NTE2365.jpg
TO-3PBL
180 W
800 V
15 A
NPN
5V @ 2.5A, 10A
1mA
8 @ 1A, 5V
TO-3P-3 Full Pack
1
2368-NTE2365
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1142-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: BU508AFI
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 8 A 7MHz 50 W Through Hole ISOWATT-218FX
Подробнее
Артикул: IXBT12N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 30A 160W TO268, IGBT - 3000 V 30 A 160 W Surface Mount TO-268AA
Подробнее
Артикул: 1223-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: STP260N6F6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220, N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SIS862DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8, N-Channel 60 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее