г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2381 NTE Electronics

Артикул
NTE2381
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET P-CHANNEL 500V 2.7A TO220, P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 619 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NTE2381.jpg
P-Channel
500 V
2.7A (Tc)
10V
4.9Ohm @ 1.35A, 10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
660 pF @ 25 V
-
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
TO-220-3
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.10.0080
2368-NTE2381
1
85W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 24SW0250
Бренд: Essentra Components
Описание: SHOULDER WASHER, 1/4 SCREW, .260, 1/4" Shoulder Washer 0.060" (1.52mm) Thick Nylon
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Подробнее
Артикул: BC141-10
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 60V 1A TO-39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 50MHz 650 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: FMMT634TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 900 mA 140MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1137-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 1 1/16 X .140 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (26.99mm) -
Подробнее