г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTGD4167CT1G onsemi

Артикул
NTGD4167CT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/NTGD4167CT1G.jpg
NTGD4167CT1GOSDKR,2156-NTGD4167CT1G-OS,NTGD4167CT1GOSTR,Q13728537,NTGD4167CT1G-ND,NTGD4167CT1GOSCT,ONSONSNTGD4167CT1G
6-TSOP
900mW
2.6A, 1.9A
N and P-Channel
295pF @ 15V
30V
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
NTGD4167
3,000
8541.21.0095
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MB152W
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A MB-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole MB-W
Подробнее
Артикул: KBL005
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: R21120
Бренд: Microchip Technology
Описание: RECTIFIER, Diode Standard, Reverse Polarity 1200 V 22A Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее
Артикул: 1569-A-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: TIP152
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее