г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTP2955G onsemi

Артикул
NTP2955G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB, P-Channel 60 V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 951 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NTP2955G.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
2.4A (Ta)
10V
196mOhm @ 12A, 10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
TO-220
2156-NTP2955G-OS,NTP2955GOS,NTP2955G-ND,ONSONSNTP2955G
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
NTP2955
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4448WS
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323, Diode Standard 75 V 250mA Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IRF3708PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF3708 - 12V-300V N-CHANNEL POW, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: STGW40N120KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 80A 240W TO247, IGBT - 1200 V 80 A 240 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRF9510S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK, P-Channel 100 V 4A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPB-41-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-9/16" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее