г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTP5860NLG onsemi

Артикул
NTP5860NLG
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB, N-Channel 60 V 220A (Tc) 283W (Tc) Through Hole TO-220
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NTP5860NLG.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
220A (Tc)
283W (Tc)
N-Channel
10760 pF @ 25 V
60 V
10V
3mOhm @ 75A, 10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
TO-220
2156-NTP5860NLG-ON
NTP586
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS6690AS
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: THETA-B
Бренд: Taica
Описание: SILICONE BOLT MOUNT, VIBRATION I, Round Standoff Threaded M4 Iron 0.709" (18.00mm) -
Подробнее
Артикул: HD02-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4-DIP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Surface Mount 4-MiniDIP
Подробнее
Артикул: GBJ1006
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: MGW12N120D
Бренд: onsemi
Описание: TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A, IGBT
Подробнее
Артикул: MADP-011029-14150T
Бренд: MACOM
Описание: RF DIODE PIN 400V 7.5W 6TDFN, RF Diode PIN - Single 400V 250 mA 7.5 W 6-TDFN (1.5x1.2)
Подробнее