г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NVE4153NT1G onsemi

Артикул
NVE4153NT1G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89, N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/NVE4153NT1G.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
915mA (Ta)
1.5V, 4.5V
230mOhm @ 600mA, 4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW (Tj)
SC-89-3
NVE4153NT1GOSTR,NVE4153NT1GOSCT,NVE4153NT1GOSDKR
Automotive, AEC-Q101
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SC-89, SOT-490
EAR99
8541.21.0095
3,000
NVE4153
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MB-7-187
Бренд: Essentra Components
Описание: MOUNTING BUTTON 0.219" - 0.281", - Mounting Button 0.219" ~ 0.281" (5.56mm ~ 7.14mm) 7/32 ~ 9/32" Grip Range Nylon
Подробнее
Артикул: 2N6211
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 5 mA - 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: MUBW35-12E7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2, IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 52 A 225 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: 1432-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IXFX90N60X
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3, N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: BD138G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 1.5A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126
Подробнее