г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PDTA113EU,115 NXP Semiconductors

Артикул
PDTA113EU,115
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NOW NEXPERIA PDTA113EU - SMALL S, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SOT-323
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/PDTA113EU115.jpg
1 kOhms
30 @ 40mA, 5V
1µA
150mV @ 1.5mA, 30mA
PNP - Pre-Biased
100 mA
50 V
200 mW
SOT-323
1
2156-PDTA113EU,115,NEXNEXPDTA113EU,115
0000.00.0000
SC-70, SOT-323
Surface Mount
Active
Bulk
-
1 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQD7N20LTM
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: BSZ146N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: SFP9540
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3, P-Channel 100 V 17A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N2484
Бренд: onsemi
Описание: NPN LL LN AMP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 50 mA - 360 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: IRL3714ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: KBL602G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE BRIDGE 6A 100V KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole KBL
Подробнее