г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PDTC144ET Nexperia

Артикул
PDTC144ET
Бренд
Nexperia
Описание
NOW NEXPERIA PDTC144ET - SMALL S, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/PDTC144ET.jpg
*
Bulk
Active
0000.00.0000
NEXNEXPDTC144ET,2156-PDTC144ET-NEX
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STD18NF25
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 250V 17A DPAK, N-Channel 250 V 17A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MRFE6S9130HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 880MHZ NI-780S, RF Mosfet LDMOS 28 V 950 mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780S
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2N5193
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS PNP 40V 4A TO126, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: SI4909DY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: HGTG20N60B3
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-247
Подробнее