г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor

Артикул
R6025JNZ4C13
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G, N-Channel 600 V 25A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247G
Цена
791 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/R6025JNZ4C13.jpg
Through Hole
N-Channel
600 V
25A (Tc)
15V
182mOhm @ 12.5A, 15V
7V @ 4.5mA
57 nC @ 15 V
±30V
1900 pF @ 100 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
30
8541.29.0095
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247G
R6025
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
EAR99
306W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MPSA64
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 30V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: BFR193WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: 1SNA168973R0700
Бренд: TE Connectivity
Описание: BJM6-10,
Подробнее
Артикул: 0387-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: NTE170
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI BRIDGE 1000V 2A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: IPW60R125P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Подробнее