г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RG2006JN onsemi

Артикул
RG2006JN
Бренд
onsemi
Описание
RECTIFIER DIODE, Diode
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RG2006JN.jpg
REACH Unaffected
1
2156-RG2006JN,ONSONSRG2006JN
8541.10.0080
EAR99
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: 2N4416A
Бренд: Central Semiconductor
Описание: JFET N-CH 35V 0.3W TO-72, JFET N-Channel 35 V 300 mW Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: BAT54LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF3315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1557-A-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: PM25CL1A120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 6-PAC L1 25A 1200V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 25 A Power Module
Подробнее