г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGL41J-E3/96 VISHAY

Артикул
RGL41J-E3/96
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount DO-213AB
Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RGL41J-E396.jpg
1,500
Surface Mount
Standard
600 V
1A
1.3 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
250 ns
5 µA @ 600 V
15pF @ 4V, 1MHz
RGL41J-E3/96-ND,RGL41J-E3/96GICT,RGL41J-E3/96GITR,RGL41J-E3/96GIDKR,RGL41JE396
8541.10.0080
SUPERECTIFIER®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
DO-213AB, MELF (Glass)
DO-213AB
RGL41
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: UJ3C120040K3S
Бренд: UnitedSiC
Описание: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3, N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FQPF13N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: 1N5246B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 16V 500MW DO35, Zener Diode 16 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRFS4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK, N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC025N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8, N-Channel 30 V 23A (Ta). 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее