г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGP10B onsemi

Артикул
RGP10B
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Цена
14 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RGP10B.jpg
RGP10BTR,RGP10BDKR,ONSONSRGP10B,RGP10BDKRINACTIVE,RGP10BDKR-ND,RGP10B-ND,2156-RGP10B-OS,RGP10BCT
DO-41
Standard
100 V
1A
1.3 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
150 ns
5 µA @ 100 V
15pF @ 4V, 1MHz
RGP10
5,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
Through Hole
DO-204AL, DO-41, Axial
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBR3060CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V - Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IPW60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: NTMFS4983NBFT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN,
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 2N5320
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- SWITCH, Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 2 A - 10 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: KSP2222ABU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее