г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGP10B onsemi

Артикул
RGP10B
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Цена
14 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RGP10B.jpg
RGP10BTR,RGP10BDKR,ONSONSRGP10B,RGP10BDKRINACTIVE,RGP10BDKR-ND,RGP10B-ND,2156-RGP10B-OS,RGP10BCT
DO-41
Standard
100 V
1A
1.3 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
150 ns
5 µA @ 100 V
15pF @ 4V, 1MHz
RGP10
5,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
Through Hole
DO-204AL, DO-41, Axial
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DSEP60-12AR
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247, Diode Standard 1200 V 60A Through Hole ISOPLUS247™ (BR)
Подробнее
Артикул: IXGQ90N33TC
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 330V 90A 200W TO3P, IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: IRF7389PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: UPA2001C-A
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IXTQ82N25P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P, N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее