г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGP10K onsemi

Артикул
RGP10K
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Цена
14 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RGP10K.jpg
RGP10K-ND,RGP10KCT,RGP10KTR,2832-RGP10K-488
DO-41
Standard
800 V
1A
1.3 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
500 ns
5 µA @ 800 V
15pF @ 4V, 1MHz
RGP10
5,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
Through Hole
DO-204AL, DO-41, Axial
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CM200DY-34A
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1700V 200A 1980W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 200 A 1980 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BZX84B11
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 11V 350MW SOT-23, Zener Diode 11 V 350 mW ±2% Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: 1SNA195637R1200
Бренд: TE Connectivity
Описание: M4/6.3A.P,
Подробнее
Артикул: IRF1010ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFL9014TR
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223, P-Channel 60 V 1.8A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Подробнее