г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGP30M NTE Electronics

Артикул
RGP30M
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-1000V 3A FAST SW, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Цена
189 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RGP30M.jpg
DO-201AD
Standard
1000 V
3A
1.3 V @ 3 A
500 ns
5 µA @ 1000 V
60pF @ 4V, 1MHz
DO-201AD, Axial
Fast Recovery = 200mA (Io)
1
RGP30
Bag
Active
Through Hole
RoHS non-compliant
EAR99
8541.10.0080
2368-RGP30M
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 250-7X
Бренд: TE Connectivity
Описание: 250-7X=WILMAR OVER/UNDERVOLTAG,
Подробнее
Артикул: NTMFS4841NHT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN, N-Channel 30 V 8.6A (Ta), 59A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: IRF7424TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO, P-Channel 20 V 6.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 50WQ04FN
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK, Diode Schottky 40 V 5.5A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: G3R20MT12K
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4, N-Channel 1200 V 128A (Tc) 542W (Tc) Through Hole TO-247-4
Подробнее