г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RU 4DS Sanken

Артикул
RU 4DS
Бренд
Sanken
Описание
DIODE GEN PURP 1.3KV 1.5A AXIAL, Diode Standard 1300 V 1.5A Through Hole -
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
-
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
1300 V
1.5A
1.8 V @ 3 A
10 µA @ 1300 V
-
-40°C ~ 150°C
-
Axial
Bulk
Obsolete
Through Hole
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
1,000
RU 4DS DK,RU 4DS-ND,RU4DS
400 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ES1D-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: P-6406
Бренд: WEC
Описание: P-6406,
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: NDS356AP
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3, P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N3250A
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANS PNP 60V 0.2A TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mA - 360 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: STF12NK60Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP, N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее