г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RURP860 onsemi

Артикул
RURP860
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220-2
Цена
203 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/RURP860.jpg
RURP860-NDR
TO-220-2
Standard
600 V
8A
1.5 V @ 8 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
70 ns
100 µA @ 600 V
-
RURP86
800
-
Tube
Obsolete
Through Hole
TO-220-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS16-03WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V, Diode
Подробнее
Артикул: SDUR1560
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 600V TO220AC, Diode Standard 600 V - Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: NJL21193DG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 16A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MUN5335DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: IKW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FGB3040CS
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 430 V 21 A 150 W Surface Mount D?PAK-6
Подробнее