г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SBR2U30P1-7 Diodes Incorporated

Артикул
SBR2U30P1-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
DIODE SBR 30V 2A POWERDI123, Diode Super Barrier 30 V 2A Surface Mount PowerDI™ 123
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/SBR2U30P1-7.jpg
POWERDI®123
PowerDI™ 123
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Super Barrier
30 V
2A
400 mV @ 2 A
400 µA @ 30 V
-
SBR2U30P1DITR,SBR2U30P1DICT,SBR2U30P1DIDKR,SBR2U30P17
3,000
8541.10.0080
SBR®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
SBR2U30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
EAR99
-65°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXFH26N50P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD, N-Channel 500 V 26A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: IRL1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MBR1060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220-2, Diode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: FPAB30BH60B
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 30A 27PWRDIP, Power Driver Module IGBT 1 Phase 600 V 30 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: STF25NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP, N-Channel 600 V 21A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: FQA34N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P, N-Channel 200 V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее